本網(wǎng)訊 2月27日，華磊光電公司博士后工作站中期匯報(bào)會(huì)在公司大會(huì)議室舉行，我公司與中國科學(xué)院半導(dǎo)體所聯(lián)合培養(yǎng)的博士后梁萌，對(duì)“非晶襯底上石墨烯基GaN LED”項(xiàng)目進(jìn)展進(jìn)行了匯報(bào)。

     中國科學(xué)院半導(dǎo)體所原所長(zhǎng)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所照明研發(fā)中心主任李晉閩，副主任伊?xí)匝啵袊茖W(xué)院半導(dǎo)體所照明研發(fā)中心原總工程師王良臣，特邀嘉賓中南大學(xué)教授汪煉成，公司董事長(zhǎng)、黨委書記黃奐果，董事、總經(jīng)理、黨委副書記許亞兵等出席會(huì)議。

     據(jù)了解，該項(xiàng)目的研究目標(biāo)為“提供氮化物大失配體系和高缺陷密度外延生長(zhǎng)的顛覆性解決方案，實(shí)現(xiàn)不依賴襯底的高質(zhì)量氮化物外延生長(zhǎng)技術(shù)，推動(dòng)新一代半導(dǎo)體材料發(fā)展”。目前該項(xiàng)目取得了階段性成果：一是在非晶襯底上實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的納米柱生長(zhǎng)；二是在非晶襯底上實(shí)現(xiàn)了氮化物薄膜生長(zhǎng)；三是非晶襯底上實(shí)現(xiàn)了氮化物L(fēng)ED，變溫PL顯示量子阱發(fā)光峰位于474nm處，且發(fā)光效率較高，IQE為48.7%，是目前國際文獻(xiàn)報(bào)道的最好水平。

     會(huì)上，專家評(píng)審組成員李晉閩、王良臣、伊?xí)匝?、汪煉成等首先?duì)梁萌研究課題內(nèi)容進(jìn)行了提問，對(duì)后續(xù)的研究方向給出了建議。并就雙方進(jìn)一步的合作，特別是在國家“十三五”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目以及“十四五”項(xiàng)目前期準(zhǔn)備工作等政府科技項(xiàng)目合作，與我公司進(jìn)行了深入交流。